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UV电子电源在光固化领域也有广泛的应用。光固化是指利用紫外线辐射引发光敏物质(如涂料、油墨、胶水等)的化学反应,将其迅速固化形成坚硬的膜或固态。UV电子电源可产生高能量的紫外线辐射,用于光固化过程中的光源。
大差模输入电压是运放的两个输入端能承受的电压。超过时,差动管会发生反向击穿。平面工艺制成的NPN管值在5V左右,水平PNP管的Vidmax可以达到30V以上。大共模输入电压它是运算放大器正常工作条件下允许的共模输入电压范围。当输入差分对饱和时,放大器失去共模抑制能力。在有干扰的情况下,在电路的使用中需要注意这个问题。输出峰峰值电压工作在线性区,在规定负载下,运放在大电源供电时,是运放所能输出的大电压幅值。除低压运放外,一般运放的输出峰峰值电压大于±10V,但小于电源电压。这是由于输出级的设计。现代低压运算放大器的输出级都经过处理。输出峰峰值电压接近电源电压的50mV以内,因此称为满量程输出运放,也称为轨到轨运放。需要注意的是,运放的输出峰峰值电压与负载有关,不同负载取值不同;运放的正负输出电压摆幅不一定相同。
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与差分放大电路中的定义相同,是差模电压增益与共模电压增益的比值,通常以分贝表示。它是衡量输入级差分放大器的对称程度和集成运放抑制共模干扰信号能力的参数。值越大越好。电源电压抑制比定义为运算放大器的输入偏移电压与线性区域内电源电压的变化率。电源电压抑制比反映了电源变化对运算放大器输出的影响。目前,电源电压抑制比仅为80dB左右。因此,当用于直流信号或模拟放大的小信号处理时,需要仔细设置运算放大器的电源。当然,具有高共模抑制比的运算放大器可以补偿部分电源电压抑制比。此外,当使用双电源时,正和负电源的电源电压抑制比可能不同。
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另一点是,G电位下降后为什么Iout就上升呢?这就涉及到PMOS工作状态,下图是PMOS的输出特性曲线,或者叫做伏安特性曲线,是PMOS本身的一个特性,根据G、D、S电压不同,MOS会工作在不同的区域,即可变电阻区,饱和区(恒流区),截至区。LDO中的MOS是工作在恒流区的。LDO工作原理就一句话:通过运放调节P-MOS的输出。输入输出压差(Dropout Voltage):